民德电子：功率半导体产能：MOS场效应二极管（MFER）产品目前产能约10,000片/月

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：公司的半导体产品有应用到IGBT半导体产品上吗？公司的产品有应用在储能，光伏及新能源汽车领域吗？公司目前的半导体产能方面已经达到什么水平？产能制约何时实现突破，公司的半导体经营业绩如何实现大跨越发展？

民德电子（300656.SZ）5月26日在投资者互动平台表示， 1、公司目前暂无IGBT相关产品生产，计划待公司参股的晶圆厂广芯微电子2023年上半年投产后，启动IGBT产品产业化。谢刚博士是国内最早一批从事IGBT国产化工艺平台建设的产业专家，曾参与多条IGBT工艺平台建设工作，在IGBT产品研发及产业化方面有丰富经验积累。后续，待广芯微电子的晶圆代工产线建成、供应链自主可控后，公司计划明年重点推进IGBT工艺平台建设，初步规划产能为1万多片/月。 2、公司功率半导体产品应用场景：目前主要销售的MOS场效应二极管（MFER），主要应用在光伏接线盒、工业电机电源、网络电源及手机快充等终端领域；今年重点开发的新产品——分离栅低压场效应晶体管（SGT-MOSFET），主要应用于储能BMS电源输出和电路保护系统，未来也可拓展至新能源汽车电子领域。 3、功率半导体产能：MOS场效应二极管（MFER）产品目前产能约10,000片/月（6英寸硅基晶圆）；分离栅低压场效应晶体管（SGT-MOSFET）已于近期在12英寸晶圆厂实现量产，公司通过预付定金方式锁定2,000片/月（12英寸晶圆）产能，后续会逐步上量。 4、公司参股新建晶圆厂广芯微电子计划于2023年上半年正式投产，投产后将彻底打开功率半导体产能扩张的天花板，且为公司开拓更多高端特色新产品奠定晶圆制造供应链基础，助力公司功率半导体业务实现跨越式发展。 

(记者 蔡鼎)

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